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MCH6662-TL-W的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

FET类型：2 个 N 沟道（双）

FET功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：160 毫欧 @ 1A，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.3V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.8nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：128pF @ 10V

功率-最大值：800mW

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-88FL/ MCPH6

封装形式Package：MCPH

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：20V

连续漏极电流ID：2A

无铅情况/RoHs：否

供应商MCH6662-TL-W
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深圳市芯幂科技有限公司MCH6662-TL-W深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市星宇佳科技有限公司MCH6662-TL-W深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市辉华拓展电子有限公司MCH6662-TL-W深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市仓实科技有限公司MCH6662-TL-W深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
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MCH6662-TL-WMOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6ON SemiconductorON Semiconductor的LOGO743.70 Kbytes共6页MCH6662-TL-W的PDF下载地址无
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Digi-Key 得捷电子		MCH6662-TL-WON SemiconductorMOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6$0.56000
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