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MCH6662-TL-W /
MCH6662-TL-W的规格信息
MCH6662-TL-W的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

FET类型:2 个 N 沟道(双)

FET功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):160 毫欧 @ 1A,4.5V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):1.8nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):128pF @ 10V

功率-最大值:800mW

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-88FL/ MCPH6

封装形式Package:MCPH

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:20V

连续漏极电流ID:2A

无铅情况/RoHs:

供应商MCH6662-TL-W
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深圳市高捷芯城科技有限公司MCH6662-TL-W深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市芯幂科技有限公司MCH6662-TL-W深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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芯莱德电子(香港)有限公司MCH6662-TL-W深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市拓亿芯电子有限公司MCH6662-TL-W深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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深圳市百域芯科技有限公司MCH6662-TL-W世纪汇都会轩45070755-82788062
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深圳市瑞浩芯科技有限公司MCH6662-TL-W深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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