晶体管类型:2 NPN(双)
电流-集电极(Ic)(最大值):500mA
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):100mV @ 10mA,100mA
电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):800 @ 10mA,2V
功率-最大值:550mW
频率-跃迁:500MHz
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-MCPH
封装形式Package:MCPH
极性Polarity:NPN
集电极最大允许电流Ic:0.5A
集电极_发射极击穿电压VCEO:50V
功率 - 最大值:550mW
频率 - 跃迁:500MHz
封装/外壳:6-SMD,扁平引线
电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):100mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):800 @ 10mA,2V
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs