典型关断延迟时间11（N 通道）ns，12（P 通道）ns

典型接通延迟时间5（N 通道）ns, 6（P 通道）ns

典型栅极电荷@Vgs2.5 nC @ 10 V（N 沟道），2.6 nC @ -10 V（P 沟道）

典型输入电容值@Vds65 pF @ 10 V（N 沟道），75 pF @ -10 V（P 沟道）

安装类型表面贴装

宽度1.6mm

封装类型MCPH 6

尺寸2 x 1.6 x 0.85mm

引脚数目6

最大功率耗散0.8 W

最大栅源电压±20 V

最大漏源电压30（N 通道）V，-30（P 通道）V

最大漏源电阻值1000（P 通道）mΩ，560（N 通道）mΩ

最大连续漏极电流-1（P 通道）A，1.4（N 通道）A

最高工作温度+150 °C

每片芯片元件数目2

类别通用

通道模式增强

通道类型N，P

配置双

长度2mm

高度0.85mm