FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动
漏源电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A,1.5A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):136 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):1.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):128pF @ 10V
功率 - 最大值:800mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-SMD,扁平引线
供应商器件封装:6-MCPH
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs