LSDN60R950HT
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：950mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道
LSDN60R950HT的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）4A(Tc)
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻950mΩ @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）25W(Tc)
类型N沟道
LSDN60R950HT
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| LSDN60R950HT | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：950mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 1001.60 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
LSDN60R950HT的全球分销商及价格
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立创商城 | LSDN60R950HT | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：950mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥2.39
10+:￥1.75
30+:￥1.64
100+:￥1.52
500+:￥1.47
1000+:￥1.44
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