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LSD65R125HT /连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:125mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34.2W(Tc) 类型:N沟道
LSD65R125HT的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)25A(Tc)

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻125mΩ @ 12.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)34.2W(Tc)

类型N沟道

供应商LSD65R125HT
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LSD65R125HT连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:125mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34.2W(Tc) 类型:N沟道LONTEN(龙腾半导体)LONTEN(龙腾半导体)的LOGO1.15 Mbytes共13页LSD65R125HT的PDF下载地址
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LSD65R125HTLONTEN(龙腾半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:125mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34.2W(Tc) 类型:N沟道1+:¥10.94
10+:¥8.01
30+:¥7.47
100+:¥6.93
500+:¥6.69
1000+:¥6.57