LSD65R570GT
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：570mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W(Tc) 类型：N沟道
LSD65R570GT的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）7A(Tc)
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻570mΩ @ 3.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）31W(Tc)
类型N沟道
LSD65R570GT
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| LSD65R570GT | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：570mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W(Tc) 类型：N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 1.50 Mbytes | 共15页 |  | 无 |
LSD65R570GT的全球分销商及价格
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立创商城 | LSD65R570GT | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：570mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥3.78
10+:￥2.77
30+:￥2.59
100+:￥2.4
500+:￥2.32
1000+:￥2.28
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