LSD65R650HT
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:650mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):28W 类型:N沟道
LSD65R650HT的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻650mΩ @ 3.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)28W
类型N沟道
LSD65R650HT
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LSD65R650HT | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:650mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):28W 类型:N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 1.25 Mbytes | 共13页 |  | 无 |
LSD65R650HT的全球分销商及价格
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 立创商城 | LSD65R650HT | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:650mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):28W 类型:N沟道 | 1+:¥3.75 10+:¥2.84 30+:¥2.67 100+:¥2.5 500+:¥2.43 1000+:¥2.39
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