LSD70R450GT
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):33W 类型:N沟道
LSD70R450GT的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)11A
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻450mΩ @ 5.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)33W
类型N沟道
LSD70R450GT
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LSD70R450GT | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):33W 类型:N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 1.15 Mbytes | 共13页 |  | 无 |
LSD70R450GT的全球分销商及价格
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 立创商城 | LSD70R450GT | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):33W 类型:N沟道 | 1+:¥5.2 10+:¥3.9 30+:¥3.66 100+:¥3.42 500+:¥3.31 1000+:¥3.26
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