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JCS7HN65VC-IPAK /连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.35Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道
JCS7HN65VC-IPAK的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻1.35Ω @ 3.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)120W(Tc)

类型N沟道

供应商JCS7HN65VC-IPAK
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JCS7HN65VC-IPAK连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.35Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道吉林华微吉林华微的LOGO1.87 Mbytes共19页JCS7HN65VC-IPAK的PDF下载地址
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JCS7HN65VC-IPAK吉林华微连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.35Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道1+:¥2.13
10+:¥1.55
30+:¥1.44
100+:¥1.34
500+:¥1.29
1000+:¥1.27