JCS7HN60VC-IPAK
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道
JCS7HN60VC-IPAK的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.3Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)120W(Tc)
类型N沟道
JCS7HN60VC-IPAK
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JCS7HN60VC-IPAK | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道 | 吉林华微 |  | 1.79 Mbytes | 共16页 |  | 无 |
JCS7HN60VC-IPAK的全球分销商及价格
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 立创商城 | JCS7HN60VC-IPAK | 吉林华微 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥2.21 10+:¥1.66 30+:¥1.56 100+:¥1.45 500+:¥1.41 1000+:¥1.39
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