JCS7HN65RC-DPAK
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.35Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道
JCS7HN65RC-DPAK的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）7A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.35Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）120W(Tc)
类型N沟道
JCS7HN65RC-DPAK
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| JCS7HN65RC-DPAK | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.35Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道 | 吉林华微 |  | 1.87 Mbytes | 共19页 |  | 无 |
JCS7HN65RC-DPAK的全球分销商及价格
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立创商城 | JCS7HN65RC-DPAK | 吉林华微 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.35Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥1.1277
10+:￥0.84282
30+:￥0.7905
100+:￥0.73818
500+:￥0.71496
1000+:￥0.70344
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