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商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.6Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)45.8W(Tc)
类型N沟道