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JCS640F-220MF /连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):44W(Tc) 类型:N沟道
JCS640F-220MF的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)200V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)18A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻180mΩ @ 9A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)44W(Tc)

类型N沟道

供应商JCS640F-220MF
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JCS640F-220MF连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):44W(Tc) 类型:N沟道吉林华微吉林华微的LOGO1.41 Mbytes共11页JCS640F-220MF的PDF下载地址
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JCS640F-220MF吉林华微连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):44W(Tc) 类型:N沟道1+:¥2.64
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