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JCS4N60RC-DPAK /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):159.2W(Tc) 类型:N沟道
JCS4N60RC-DPAK的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)600V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻2.5Ω @ 2A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)159.2W(Tc)

类型N沟道

供应商JCS4N60RC-DPAK
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JCS4N60RC-DPAK连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):159.2W(Tc) 类型:N沟道吉林华微吉林华微的LOGO1.16 Mbytes共14页JCS4N60RC-DPAK的PDF下载地址
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JCS4N60RC-DPAK吉林华微连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):159.2W(Tc) 类型:N沟道1+:¥0.70176
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