JCS4N60VC-IPAK
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：159.2W(Tc) 类型：N沟道
JCS4N60VC-IPAK的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）4A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.5Ω @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）159.2W(Tc)
类型N沟道
JCS4N60VC-IPAK
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| JCS4N60VC-IPAK | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：159.2W(Tc) 类型：N沟道 | 吉林华微 |  | 1.16 Mbytes | 共14页 |  | 无 |
JCS4N60VC-IPAK的全球分销商及价格
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10+:￥0.9866
30+:￥0.926
100+:￥0.8654
500+:￥0.8385
1000+:￥0.8252
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