JCS1SN60VC-IPAK
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5Ω @ 600mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道
JCS1SN60VC-IPAK的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)1.2A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻8.5Ω @ 600mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)30W(Tc)
类型N沟道
JCS1SN60VC-IPAK
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JCS1SN60VC-IPAK | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5Ω @ 600mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道 | 吉林华微 |  | 733.74 Kbytes | 共11页 |  | 无 |
JCS1SN60VC-IPAK的全球分销商及价格
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 立创商城 | JCS1SN60VC-IPAK | 吉林华微 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5Ω @ 600mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道 | 5+:¥0.732452 50+:¥0.552524 150+:¥0.519476 500+:¥0.486428 2500+:¥0.47174 5000+:¥0.464482
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