JCS2N60VB-IPAK
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.9A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):43.6W(Tc) 类型:N沟道
JCS2N60VB-IPAK的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)1.9A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻4.5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)43.6W(Tc)
类型N沟道
JCS2N60VB-IPAK
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JCS2N60VB-IPAK | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.9A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):43.6W(Tc) 类型:N沟道 | 吉林华微 |  | 924.83 Kbytes | 共16页 |  | 无 |
JCS2N60VB-IPAK的全球分销商及价格
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 立创商城 | JCS2N60VB-IPAK | 吉林华微 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.9A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):43.6W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.0386 10+:¥0.7587 30+:¥0.7073 100+:¥0.6559 500+:¥0.6331 1000+:¥0.6218
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