封装/外壳：SO8

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9.2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 25µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：38nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1110pF @ 25V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：13.3 毫欧 @ 9.2A，20V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-SO

通道类型：P

最大连续漏极电流：9.2 A

最大漏源电压：30 V

最大漏源电阻值：32.5 m0hms

最大栅阈值电压：2.4V

最小栅阈值电压：1.3V

最大栅源电压：-25 V、+25 V

封装类型：SOIC

晶体管配置：单

引脚数目：8

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：2.5 W

每片芯片元件数目：1

最高工作温度：+150 °C

最低工作温度：-55 °C

高度：1.5mm

正向跨导：13S

正向二极管电压：1.2V

系列：HEXFET

尺寸：5 x 4 x 1.5mm

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：25 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：1110 pF @ -25 V

典型关断延迟时间：55 ns

典型接通延迟时间：16 ns

宽度：4mm

长度：5mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs