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IRF9389TRPBF /MOSFET 30V Dual N and P Ch HEXFET 20-8 20VGS
IRF9389TRPBF的规格信息
IRF9389TRPBF的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:6.8 A, 4.6 A

Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms, 51 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:6.8 nC, 8.1 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Dual

商标名:HEXFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

系列:IRF939

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:3.9 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:8.2 S, 4.1 S

下降时间:3.9 ns, 15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4.8 ns, 14 ns

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:4.9 ns, 17 ns

典型接通延迟时间:5.1 ns, 8 ns

零件号别名:SP001551666

单位重量:506.600 mg

供应商IRF9389TRPBF
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司IRF9389TRPBF深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IRF9389TRPBF深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市清腾科技有限公司IRF9389TRPBF深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路156号上步工业区405栋3190755-83993052
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刘先生Email:893018447@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IRF9389TRPBF深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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深圳市安富世纪电子有限公司IRF9389TRPBF深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司IRF9389TRPBF深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市佳威星科技有限公司IRF9389TRPBF深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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深圳市星宇佳科技有限公司IRF9389TRPBF深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司IRF9389TRPBF深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市毅创腾电子科技有限公司IRF9389TRPBF深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市高捷芯城科技有限公司IRF9389TRPBF深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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集好芯城IRF9389TRPBF深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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芯莱德电子(香港)有限公司IRF9389TRPBF深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IRF9389TRPBF深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
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深圳市凯睿晟科技有限公司IRF9389TRPBF世纪汇都会轩45070755-82788062
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IRF9389TRPBF的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
IRF9389TRPBFInternational RectifierFET - 阵列 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V Dual N and P Ch HEXFET 20-8 20VGS1+:¥4.8
10+:¥2.72
25+:¥2.36
50+:¥1.98
100+:¥1.77
250+:¥1.61
500+:¥1.45
1000+:¥1.34991+:¥3.77
10+:¥1.57
100+:¥1.15
1000+:¥1.08
4000+:¥1.05
8000+:¥1.05
24000+:¥1
48000+:¥0.97
100000+:¥0.974000+:¥0.81+:¥1.02
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
IRF9389TRPBFInternational Rectifier4,000 : $0.164
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ChipOneStop
IRF9389TRPBFInternational RectifierFET - 阵列 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V Dual N and P Ch HEXFET 20-8 20VGS1+:¥4.8
10+:¥2.72
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500+:¥1.45
1000+:¥1.34991+:¥3.77
10+:¥1.57
100+:¥1.15
1000+:¥1.08
4000+:¥1.05
8000+:¥1.05
24000+:¥1
48000+:¥0.97
100000+:¥0.974000+:¥0.8
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IRF9389TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO$0.60000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IRF9389TRPBFINFINEON TECHNOLOGIES AMERICAS CORP.MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO8,000 : $0.14994
4,000 : $0.16004
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IRF9389TRPBFInternational RectifierFET - 阵列 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V Dual N and P Ch HEXFET 20-8 20VGS1+:¥4.8
10+:¥2.72
25+:¥2.36
50+:¥1.98
100+:¥1.77
250+:¥1.61
500+:¥1.45
1000+:¥1.3499
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Future Electronics
IRF9389TRPBFInternational RectifierN/P-Channel ?30 V 27/64 mO 2 W HEXFET Mosfet Surface Mount - SOIC-8
RoHS : Compliant
4,000 : $0.1467
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Mouser 贸泽电子
IRF9389TRPBFInternational RectifierFET - 阵列 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V Dual N and P Ch HEXFET 20-8 20VGS1+:¥4.8
10+:¥2.72
25+:¥2.36
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48000+:¥0.97
100000+:¥0.97
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Mouser 贸泽电子
IRF9389TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V Dual N and P Ch HEXFET 20-8 20VGS1:¥4.068
10:¥3.4013
100:¥2.0792
1,000:¥1.6046
4,000:¥1.3673
元器件资料网-TME Electronic Components的LOGO
TME Electronic Components
IRF9389TRPBFINTERNATIONAL RECTIFIERTransistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8250 : $0.23
1,000 : $0.21
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Verical
IRF9389TRPBFInternational RectifierFET - 阵列 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V Dual N and P Ch HEXFET 20-8 20VGS1+:¥4.8
10+:¥2.72
25+:¥2.36
50+:¥1.98
100+:¥1.77
250+:¥1.61
500+:¥1.45
1000+:¥1.34991+:¥3.77
10+:¥1.57
100+:¥1.15
1000+:¥1.08
4000+:¥1.05
8000+:¥1.05
24000+:¥1
48000+:¥0.97
100000+:¥0.974000+:¥0.81+:¥1.021+:¥0.75
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立创商城
IRF9389TRPBFInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 10uA 漏源导通电阻:27mΩ @ 6.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道1+:¥1.7936
10+:¥1.3585
30+:¥1.2786
100+:¥1.1987
500+:¥1.1632
1000+:¥1.1456