标准包装：95

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：HEXFET®

包装：管件

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.8A，4.6A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：27 毫欧 @ 6.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 10µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：14nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：398pF @ 15V

功率 - 最大值：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO