封装/外壳：SO8

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：17.5 毫欧 @ 9.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 25µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：41nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1270pF @ 25V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：41nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1270pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：25V

供应商器件封装：8-SO

通道类型：P

最大连续漏极电流：9.8 A

最大漏源电压：30 V

最大漏源电阻值：28.1 m0hms

最大栅阈值电压：2.4V

最小栅阈值电压：1.3V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：SOIC

引脚数目：8

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：2.5 W

典型接通延迟时间：15 ns

典型关断延迟时间：73 ns

典型输入电容值@Vds：1270 pF @ -25 V

典型栅极电荷@Vgs：27 nC @ 15 V

最高工作温度：+150 °C

高度：1.5mm

系列：HEXFET

每片芯片元件数目：1

宽度：4mm

长度：5mm

正向跨导：36S

正向二极管电压：1.2V

尺寸：5 x 4 x 1.5mm

最低工作温度：-55 °C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs