封装/外壳：SO8
FET 类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，20V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：12.1 毫欧 @ 7.8A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：14nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1270pF @ 25V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：14nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1270pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：25V
供应商器件封装：8-SO
通道类型：P
最大连续漏极电流：9.8 A
最大漏源电压：30 V
最大漏源电阻值：17.5 m0hms
最大栅阈值电压：2.4V
最小栅阈值电压：1.3V
最大栅源电压：-25 V、+25 V
封装类型：SOIC
引脚数目：8
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散：2.5 W
典型接通延迟时间：15 ns
典型关断延迟时间：73 ns
典型输入电容值@Vds：1270 pF @ -25 V
典型栅极电荷@Vgs：27 nC @ 15 V
系列：HEXFET
长度：5mm
最高工作温度：+150 °C
宽度：4mm
最低工作温度：-55 °C
每片芯片元件数目：1
正向跨导：36S
正向二极管电压：1.2V
尺寸：5 x 4 x 1.5mm
高度：1.5mm
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs