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IRF1104LPBF /N 通道功率 MOSFET 超过 100A,International Rectifier International Rectifier 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 MOSFET 晶体管,International Rectifier International Rectifier 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度 1000 ,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
IRF1104LPBF的规格信息
IRF1104LPBF的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

封装:TO-262

功耗:170 W

上升时间:114 ns

额定电压(DC):40.0 V

极性:N-Channel

漏源极电� 1000 �(Vds):40.0 V

额定电流:100 A

漏源击穿电压:40.0 V

连续漏极电流(Ids):100 A

零部件系列:IRF1104L

安装方式:Through Hole

包装方式:Bulk

含铅标准:Lead Free

RoHS标准:Compliant

产品生命周期:Active

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