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IRF1010NSTRL /International Rectifier/分立半导体产品
IRF1010NSTRL的规格信息
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设计资源：IRF1010NS Saber Model IRF1010NS Spice Model

标准包装：800

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：85A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：11 毫欧 @ 43A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：120nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：3210pF @ 25V

功率 - 最大值：180W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：D2PAK

供应商IRF1010NSTRL
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深圳市百视威讯电子科技有限公司IRF1010NSTRL华强广场C座18J0755-27381274
18098996457		董先生skype:微信15013613919Email:15013613919@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IRF1010NSTRL深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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现代芯城（深圳）科技有限公司IRF1010NSTRLPBFwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IRF1010NSTRL深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283，19147721680		王小姐，刘先生Email:345720093@qq.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司IRF1010NSTRLPBF深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司IRF1010NSTRLPBF深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IRF1010NSTRL深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IRF1010NSTRL深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司IRF1010NSTRL深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453，18929374037，18922803401		连Email:seven@7-ic.com询价
深圳市宸远科技有限公司IRF1010NSTRLPBF深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
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深圳市坤融电子有限公司IRF1010NSTRLPBF航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
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深圳市博浩通科技有限公司IRF1010NSTRLPBF华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
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深圳市斌腾达科技有限公司IRF1010NSTRL深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市科思奇电子科技有限公司IRF1010NSTRLPBF上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司IRF1010NSTRL龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司IRF1010NSTRLPBF深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司IRF1010NSTRLPBF深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司IRF1010NSTRLPBF深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
IRF1010NSTRL及相关型号的PDF资料
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IRF1010NSTRLMOSFET N-CH 55V 85A D2PAKInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO150.63 Kbytes共11页IRF1010NSTRL的PDF下载地址无
IRF1010NSTRLPBFMOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nCInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO290.59 Kbytes共11页IRF1010NSTRLPBF的PDF下载地址无
IRF1010NSTRLPBFMOSFET N-CH 55V 85A D2PAKInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO301.67 Kbytes共12页IRF1010NSTRLPBF的PDF下载地址无
IRF1010NSTRLPBF连续漏极电流（Id）（25°C 时）：85A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 43A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：180W(Tc) 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO292.62 Kbytes共11页IRF1010NSTRLPBF的PDF下载地址无
IRF1010NSTRLPBFMOSFET, Power,N-Ch,VDSS 55V,RDS(ON) 11 Milliohms,ID 85A,D2Pak,PD 180W,VGS +/-20VInfineonInfineon的LOGO301.67 Kbytes共12页IRF1010NSTRLPBF的PDF下载地址无
IRF1010NSTRL的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		IRF1010NSTRLPBFInfineonMOSFET, Power,N-Ch,VDSS 55V,RDS(ON) 11 Milliohms,ID 85A,D2Pak,PD 180W,VGS +/-20V10:$2.03
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		IRF1010NSTRLInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC800+:￥7.79
1600+:￥7.46
4000+:￥7.17
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4800+:￥6.92
9600+:￥6.81
24800+:￥6.65800+:￥3.43800+:￥4.28
1600+:￥4.19991+:￥4.78
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		IRF1010NSTRLPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC800+:￥7.79
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ChipOneStop		IRF1010NSTRLInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC800+:￥7.79
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ChipOneStop		IRF1010NSTRLPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC800+:￥7.79
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Digi-Key 得捷电子		IRF1010NSTRLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 85A D2PAKObsolete
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Digi-Key 得捷电子		IRF1010NSTRLInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC800+:￥7.79
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40000+:￥6.3699
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Digi-Key 得捷电子		IRF1010NSTRLPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC800+:￥7.79
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Future(富昌)		IRF1010NSTRLInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC800+:￥7.79
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Mouser 贸泽电子		IRF1010NSTRLPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC800+:￥7.79
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Mouser 贸泽电子		IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
800:¥5.8534
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Verical		IRF1010NSTRLInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC800+:￥7.79
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Verical		IRF1010NSTRLPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC800+:￥7.79
1600+:￥7.46
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立创商城		IRF1010NSTRLPBFInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：85A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 43A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：180W(Tc) 类型：N沟道1+:￥11.51
10+:￥11.2
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