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IRF1010ESTRLPBF /MOSFET MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC
IRF1010ESTRLPBF的规格信息
IRF1010ESTRLPBF的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:84 A

Rds On-漏源导通电阻:12 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:130 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:200 W

配置:Single

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon / IR

正向跨导 - 最小值:69 S

下降时间:53 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:78 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:48 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:SP001553824

单位重量:4 g

供应商IRF1010ESTRLPBF
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现代芯城(深圳)科技有限公司IRF1010ESTRLPBFwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IRF1010ESTRLPBF深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)
Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IRF1010ESTRLPBF深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283,19147721680
王小姐,刘先生Email:345720093@qq.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司IRF1010ESTRLPBF深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司IRF1010ESTRLPBF深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IRF1010ESTRLPBF深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897
蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IRF1010ESTRLPBF深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司IRF1010ESTRLPBF深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453,18929374037,18922803401
Email:seven@7-ic.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司IRF1010ESTRLPBF深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市坤融电子有限公司IRF1010ESTRLPBF航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市凌特半导体科技有限公司IRF1010ESTRLPBF广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
13923432237
谢先生Email:3003989381@qq.com询价
深圳市博浩通科技有限公司IRF1010ESTRLPBF华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
15989349634,13798567707
朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司IRF1010ESTRLPBF深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司IRF1010ESTRLPBF龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司IRF1010ESTRLPBF深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905
谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司IRF1010ESTRLPBF深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905
小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司IRF1010ESTRLPBF深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司IRF1010ESTRLPBF深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869
朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市骏创达科技有限公司IRF1010ESTRLPBF深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD 1期A座20楼20020755-23964265,0755-23917105
朱小姐,王小姐Email:2881479208@qq.com询价
深圳市佳威星科技有限公司IRF1010ESTRLPBF深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501
胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
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IRF1010ESTRLPBFMOSFET MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nCInfineon / IRInfineon / IR的LOGO223.30 Kbytes共11页IRF1010ESTRLPBF的PDF下载地址
IRF1010ESTRLPBFMOSFET N-CH 60V 84A D2PAKInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO228.64 Kbytes共12页IRF1010ESTRLPBF的PDF下载地址
IRF1010ESTRLPBF连续漏极电流(Id)(25°C 时):84A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200W(Tc) 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO222.28 Kbytes共11页IRF1010ESTRLPBF的PDF下载地址
IRF1010ESTRLPBF的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
IRF1010ESTRLPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC800+:¥7.85
1600+:¥7.5201
4000+:¥7.23
5600+:¥6.88
20000+:¥6.64
40000+:¥6.411+:¥14.25
10+:¥7.6
100+:¥7.6
500+:¥7.6
800+:¥7.6
2400+:¥7.26
4800+:¥6.98
9600+:¥6.87
24800+:¥6.715+:¥5.45
25+:¥5.3699
100+:¥5.29
500+:¥4.581+:¥4.5001
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ChipOneStop
IRF1010ESTRLPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC800+:¥7.85
1600+:¥7.5201
4000+:¥7.23
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9600+:¥6.87
24800+:¥6.715+:¥5.45
25+:¥5.3699
100+:¥5.29
500+:¥4.58
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Digi-Key 得捷电子
IRF1010ESTRLPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC800+:¥7.85
1600+:¥7.5201
4000+:¥7.23
5600+:¥6.88
20000+:¥6.64
40000+:¥6.41
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 84A D2PAK$1.71000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
IRF1010ESTRLPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC800+:¥7.85
1600+:¥7.5201
4000+:¥7.23
5600+:¥6.88
20000+:¥6.64
40000+:¥6.411+:¥14.25
10+:¥7.6
100+:¥7.6
500+:¥7.6
800+:¥7.6
2400+:¥7.26
4800+:¥6.98
9600+:¥6.87
24800+:¥6.71
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
IRF1010ESTRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.232
800:¥5.7065
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
IRF1010ESTRLPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC800+:¥7.85
1600+:¥7.5201
4000+:¥7.23
5600+:¥6.88
20000+:¥6.64
40000+:¥6.411+:¥14.25
10+:¥7.6
100+:¥7.6
500+:¥7.6
800+:¥7.6
2400+:¥7.26
4800+:¥6.98
9600+:¥6.87
24800+:¥6.715+:¥5.45
25+:¥5.3699
100+:¥5.29
500+:¥4.581+:¥4.50011+:¥12.44
10+:¥7.76
25+:¥7.16
100+:¥6.59
250+:¥6.06
500+:¥5.81
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立创商城
IRF1010ESTRLPBFInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):84A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200W(Tc) 类型:N沟道1+:¥6.57
10+:¥4.89
30+:¥4.59
100+:¥4.28
500+:¥4.14
1000+:¥4.08