FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：75A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：95nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2840pF @ 25V

功率耗散（最大值）：140W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：7.5 毫欧 @ 75A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D2PAK

封装/外壳：D2PAK

通道类型：N

最大连续漏极电流：94 A

最大漏源电压：55 V

最大漏源电阻值：8 m0hms

最大栅阈值电压：4V

最小栅阈值电压：2V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：D2PAK (TO-263)

晶体管配置：单

引脚数目：3

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：140 W

典型接通延迟时间：18 ns

典型关断延迟时间：36 ns

典型输入电容值@Vds：2840 pF@ 25 V

典型栅极电荷@Vgs：63 nC @ 10 V

晶体管材料：Si

系列：HEXFET

最低工作温度：-55 °C

宽度：9.65mm

最高工作温度：+175 °C

长度：10.67mm

高度：4.83mm

尺寸：10.67 x 9.65 x 4.83mm

每片芯片元件数目：1

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs