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IRF1010ESPBF /MOSFET 60V SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET
IRF1010ESPBF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:60 V

闸/源击穿电压:20 V

漏极连续电流:83 A

导通电阻:12 mOhms

配置:Single

最大工作温度:+ 175 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:D2PAK

封装:Tube

商标:International Rectifier

下降时间:53 ns

栅极电荷 Qg:86.6 nC

最小工作温度:- 55 C

功率耗散:170 W

上升时间:78 ns

工厂包装数量:50

典型关闭延迟时间:48 ns

ROHS: 无铅

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IRF1010ESPBFHEXFET Power MOSFET IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO218.72 Kbytes共10页IRF1010ESPBF的PDF下载地址IRFZ34VPBF,IRF7210PBF,IRFR210PBF,IRFR3707ZCPBF,IRLZ4S,IRFC240,IRF8010PBF,IRFS4321PBF,IRF9952PBF,IRF3704ZCSPBF
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