标准包装50

类别分离式半导体产品

家庭FET - 单路

系列HEXFET®

FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点Standard

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 50A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)60V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C84A

Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs130nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)3210pF @ 25V

功率 - 最大200W

安装类型通孔

封装/外壳TO-262-3（直引线）

供应商设备封装TO-262

包装管件

其它名称*IRF1010ELPBF