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IRF100B201 /IRF100B201 Series 100 V 4.2 mOhm Flange Mount HEXFET® Power Mosfet - TO-220AB
IRF100B201的规格信息
IRF100B201的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

系列:HEXFET®,StrongIRFET™

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):192A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):255nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):9500pF @ 50V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):441W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):4.2 毫欧 @ 115A,10V

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO220

封装形式Package:TO-220AB

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:100V

连续漏极电流ID:192A

漏源电压(Vdss):100V

供应商器件封装:TO-220AB

RoHS compliant:yes

Packing Type:TUBE

Moisture Level:NA

RDS (on) max:4.2mΩ

VDS max:100.0V

ID max:136.0A

Package:TO-220

Tj max:175.0°C

QG:170.0nC

Budgetary Price €€/1k:1.24

Ptot max:441.0W

Polarity:N

Qgd:45.0nC

RDS (on) (@10V) max:4.2mΩ

VGS max:20.0V

Mounting:THT

RthJC max:0.34K/W

ID (@ TC=25°C) max:192.0A

ID (@ TC=100°C) max:136.0A

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商IRF100B201
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IRF100B201Infineon TechnologiesIRF100B201 - 12V-300V N-CHANNEL$1.01000
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IRF100B201Infineon / IRMOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg1:¥19.5151
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IRF100B201Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):192A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.2mΩ @ 115A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):441W 类型:N沟道1+:¥10.68
10+:¥7.8
30+:¥7.27
100+:¥6.74
500+:¥6.5
1000+:¥6.39