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IPB80N04S2-H4ATMA2 /N-CHANNEL POWER MOSFET
IPB80N04S2-H4ATMA2的规格信息
IPB80N04S2-H4ATMA2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

Series*

PackageBulk

FET Type-

Technology-

Drain to Source Voltage (Vdss)-

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-

Rds On (Max) @ Id, Vgs-

Vgs(th) (Max) @ Id-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)-

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-

FET Feature-

Power Dissipation (Max)-

Operating Temperature-

Mounting Type-

Supplier Device Package-

Package / Case-

供应商IPB80N04S2-H4ATMA2
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