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IPB80N03S4L-03 /MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
IPB80N03S4L-03的规格信息
IPB80N03S4L-03的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:16 V

Qg-栅极电荷:140 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:136 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS-T2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:13 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:62 ns

典型接通延迟时间:14 ns

零件号别名:IPB80N03S4L03ATMA1 IPB8N3S4L3XT SP000274982

单位重量:4 g

供应商IPB80N03S4L-03
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集好芯城IPB80N03S4L-03深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPB80N03S4L-03深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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集好芯城IPB80N03S4L-03深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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深圳市坤融电子有限公司IPB80N03S4L-03航都大厦10I0755-23990975
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深圳和润天下电子科技有限公司IPB80N03S4L-03深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IPB80N03S4L-03深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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深圳市毅创腾电子科技有限公司IPB80N03S4L-03深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		IPB80N03S4L-03InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OPTIMOS-T2 POWER-TRANS1000+:￥3.15
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Rochester Electronics		IPB80N03S4L-03Infineon Technologies AGN/A500 : $0.54
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Rutronik		IPB80N03S4L-03Infineon Technologies AGMOSFET 30V 3.4mOHM AECQ TO263 RoHSconf价格未公开
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