图像仅供参考,请参阅规格书
产品种类MOSFET
晶体管极性N-Channel
汲极/源极击穿电压25 V
闸/源击穿电压+/- 20 V
漏极连续电流50 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)15.1 m Ohms
配置Single
最大工作温度+ 175 C
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-263
封装Reel
下降时间3.2 ns
最小工作温度- 55 C
功率耗散63 W
上升时间73 ns
典型关闭延迟时间22 ns