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IPB09N03LA /Infineon Technologies/分立半导体产品
IPB09N03LA的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:OptiMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):25V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.9 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1642pF @ 15V

功率 - 最大值:63W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

供应商器件封装:PG-TO263-3

其它名称:IPB09N03LAINTR

供应商IPB09N03LA
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IPB09N03LAOptiMOS 2 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO347.27 Kbytes共10页IPB09N03LA的PDF下载地址IPD05N03LA,IPI05N03LA,SPD15N06S2L-64,SPD50N06S2L-13,SPI100N03S2-03,SPP100N06S2L-05,SPD22N08S2L-50,SPD100N03S2L-04,SPI100N03S2L-03,SPP100N08S2-07
IPB09N03LA GMOSFET N-CH 25V 50A D2PAKInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO276.27 Kbytes共9页IPB09N03LA G的PDF下载地址
IPB09N03LAGOptiMOS®2 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO276.86 Kbytes共9页IPB09N03LAG的PDF下载地址IPB05N03LB,IPD09N03LBG,IPP10N03LB,IPUH6N03LB,BSC020N025SG,IPB06N03LAG,IPD10N03LAG,IPP11N03LA,BSC024N025S,IPB06N03LB
IPB09N03LAGOptiMOS 2Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO281.87 Kbytes共9页IPB09N03LAG的PDF下载地址
IPB09N03LATOptiMOS 2Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO281.87 Kbytes共9页IPB09N03LAT的PDF下载地址
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IPB09N03LAInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品价格未公开
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IPB09N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 50A TO263-3Obsolete
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IPB09N03LAInfineon Technologies AG MOSFET Transistor, N-Channel, TO-2633,530 : $0.374
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1 : $1.7