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IPB081N06L3G / Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB081N06L3G的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

包装：3TO-263

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：60 V

最大连续漏极电流：50 A

RDS -于：8.1@10V mOhm

最大门源电压：±20 V

典型导通延迟时间：15 ns

典型上升时间：26 ns

典型关闭延迟时间：37 ns

典型下降时间：7 ns

工作温度：-55 to 175 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

供应商IPB081N06L3G
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深圳市芯幂科技有限公司IPB081N06L3G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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IPB081N06L3GOptiMOS™3 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO433.55 Kbytes共11页IPB081N06L3G的PDF下载地址无
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Avnet Express		IPB081N06L3GInfineon Technologies Americas Inc.- Tape and Reel1,000 : $0.583
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Mouser 贸泽电子		IPB081N06L3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 31:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4467
500:¥6.5766
1,000:¥5.198
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TME Electronic Components		IPB081N06L3GInfineon Technologies AGTransistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 79W; TO263100 : $0.58
500 : $0.52
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