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IPB081N06L3G / Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB081N06L3G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装:3TO-263

通道模式:Enhancement

最大漏源电压:60 V

最大连续漏极电流:50 A

RDS -于:8.1@10V mOhm

最大门源电压:±20 V

典型导通延迟时间:15 ns

典型上升时间:26 ns

典型关闭延迟时间:37 ns

典型下降时间:7 ns

工作温度:-55 to 175 °C

安装:Surface Mount

标准包装:Tape & Reel

供应商IPB081N06L3G
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深圳市芯幂科技有限公司IPB081N06L3G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市佳威星科技有限公司IPB081N06L3GATMA1深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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集好芯城IPB081N06L3G深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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深圳市辉华拓展电子有限公司IPB081N06L3GATMA1深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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IPB081N06L3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 31:¥11.30
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1,000:¥5.198
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TME Electronic Components
IPB081N06L3GInfineon Technologies AGTransistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 79W; TO263100 : $0.58
500 : $0.52