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IPB090N06N3G / MOSFET N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB090N06N3G的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:50 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:9 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:71 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:D2PAK-3

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:5 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:40 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:1000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GXT SP000398042

供应商IPB090N06N3G
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