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IPB083N10N3G /连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.5V @ 75uA 漏源导通电阻:8.3mΩ @ 73A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)100V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)80A(Tc)

栅源极阈值电压3.5V @ 75uA

漏源导通电阻8.3mΩ @ 73A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)125W(Tc)

类型N沟道

供应商IPB083N10N3G
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深圳市安富世纪电子有限公司IPB083N10N3G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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IPB083N10N3G的全球分销商及价格
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IPB083N10N3GInfineon Technologies Americas Inc.- Rail/Tube1,000 : $0.626
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IPB083N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 80A D2PAK$1.64000
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Mouser 贸泽电子
IPB083N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 31:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
1,000:¥5.1867
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IPB083N10N3GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.5V @ 75uA 漏源导通电阻:8.3mΩ @ 73A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道1+:¥17.41
10+:¥15.2
30+:¥14.79
100+:¥14.39
500+:¥14.21
1000+:¥13.98