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IPB083N10N3G /连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.5V @ 75uA 漏源导通电阻:8.3mΩ @ 73A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)100V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)80A(Tc)

栅源极阈值电压3.5V @ 75uA

漏源导通电阻8.3mΩ @ 73A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)125W(Tc)

类型N沟道

供应商IPB083N10N3G
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IPB083N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 80A D2PAK$1.64000
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IPB083N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 31:¥11.30
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IPB083N10N3GInfineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263$1.7625
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IPB083N10N3GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.5V @ 75uA 漏源导通电阻:8.3mΩ @ 73A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道1+:¥17.41
10+:¥15.2
30+:¥14.79
100+:¥14.39
500+:¥14.21
1000+:¥13.98