IPB042N10N3G的供应商，IPB042N10N3G规格参数，IPB042N10N3G的PDF资料

IPB042N10N3G /MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS

IPB042N10N3G的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:100 A

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Rds On-漏源导通电阻:4.2 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:214 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:D2PAK-3

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:14 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:59 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:1000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:48 ns

典型接通延迟时间:27 ns

零件号别名:IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GXT SP000446880

IPB042N10N3G

IPB042N10N3G的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	IPB042N10N3G	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	+86-13267088774(微信同号)	李昊	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	IPB042N10N3G	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IPB042N10N3G	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	IPB042N10N3G	深圳市福田区上步工业区501栋1103	0755-84875764 ”13725596657“17503034873	曾先生	询价
深圳市源美佳成电子有限公司	IPB042N10N3G	新华强Q2C035	0755-83204865 13715037703	王小姐	询价
深圳市威雅利发展有限公司	IPB042N10N3G	华强北路1019号华强广场A16楼	18124047120 18124047120	韩雪	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	IPB042N10N3G	www.nowchip.com	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	IPB042N10N3G	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市泓建半导体有限公司	IPB042N10N3G	深圳市福田区华强北街道福强社区深南中路2070号电子科技大厦C座7B12	18617195508 18617195508	蔡永记	询价
深圳市博浩通科技有限公司	IPB042N10N3G	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IPB042N10N3G	华强北现代之窗A 9D	0755-23903154 13430590551	杨晓芳	询价
深圳市佳威星科技有限公司	IPB042N10N3GATMA1	深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C	0755-83045910 13724343501	胡小姐	询价
深圳市坤融电子有限公司	IPB042N10N3G	航都大厦10I	0755-23990975 13926529829，17318082080	肖瑶，树平	询价
集好芯城	IPB042N10N3G	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	IPB042N10N3G	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈晓玲	询价
深圳市骏凯诚科技有限公司	IPB042N10N3G	深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室	0755-82731802 13652405995	朱小姐	询价
深圳市百域芯科技有限公司	IPB042N10N3G	世纪汇都会轩4507	0755-82788062 18126442734	梁小姐	询价
集好芯城	IPB042N10N3G	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	IPB042N10N3G	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	IPB042N10N3GATMA1	深圳市福田区航都大厦25F	0755-83289799 18129819897	蔡小姐	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	IPB042N10N3G	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价

IPB042N10N3G及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
IPB042N10N3G	OptiMOSâ¢3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	532.15 Kbytes	共11页	无
IPB042N10N3G	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	317.2 Kbytes	共2页	无
IPB042N10N3G	OptiMOSâ¢3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	350.45 Kbytes	共11页	无
IPB042N10N3GATMA1	MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3	Infineon Technologies	929.56 Kbytes	共10页	无
IPB042N10N3GATMA1	MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3	Infineon Technologies	976.52 Kbytes	共10页	无
IPB042N10N3GATMA1	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 150uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：214W(Tc) 类型：N沟道	Infineon(英飞凌)	976.52 Kbytes	共10页	无
IPB042N10N3GE8187ATMA1	MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3	Infineon Technologies	976.52 Kbytes	共10页	无
IPB042N10N3GE8187ATMA1	MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK	Infineon Technologies	976.52 Kbytes	共10页	无
IPB042N10N3GE818XT	MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2	Infineon Technologies	929.56 Kbytes	共10页	无

IPB042N10N3G的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Avnet Express	IPB042N10N3G	Infineon Technologies Americas Inc.	- Rail/Tube	1,000 : $1.0782 1,999 : $0.7278
Digi-Key 得捷电子	IPB042N10N3GE8187ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK	$1.65953
Mouser 贸泽电子	IPB042N10N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3	1:¥21.131 10:¥17.9783 100:¥14.3736 500:¥12.5995 1,000:¥10.4525
Mouser 贸泽电子	IPB042N10N3GE818XT	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2	1:¥21.4361 10:¥18.2156 100:¥14.5205 500:¥12.7577 1,000:¥10.5316
Rochester Electronics	IPB042N10N3G	Infineon Technologies AG	REF: SP000446880	500 : $1.7 1,000 : $1.61
Wuhan P&S	IPB042N10N3G	Infineon Technologies AG	100V,100A,N Channel Power MOSFET	1 : $3.42 100 : $2.68 1,000 : $2.2
立创商城	IPB042N10N3G	Infineon(英飞凌)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：137A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 150uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：214W 类型：N沟道	1+:￥8.85 10+:￥6.77 30+:￥6.39 100+:￥5.7095 500+:￥5.548 1000+:￥5.472
立创商城	IPB042N10N3GATMA1	Infineon(英飞凌)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 150uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：214W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥7.94 10+:￥5.98 30+:￥5.62 100+:￥5.26 500+:￥5.1 1000+:￥5.02

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