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IPB03N03LBG /
IPB03N03LBG的规格信息
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产品种类MOSFET

晶体管极性N-Channel

汲极/源极击穿电压30 V

闸/源击穿电压+/- 20 V

漏极连续电流80 A

电阻汲极/源极 RDS(导通)3.9 m Ohms

配置Single

最大工作温度+ 175 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体TO-263

封装Reel

下降时间7.6 ns

最小工作温度- 55 C

功率耗散150 W

上升时间10 ns

典型关闭延迟时间48 ns

供应商IPB03N03LBG
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