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IPB034N06N3G /MOSFET N-Ch 60V 100A D2PAK-
IPB034N06N3G的规格信息
IPB034N06N3G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:100 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:3.4 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs 2178 -栅源极击穿电压 :20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Qg-栅极电荷:130 nC

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:167 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:D2PAK-7

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quint Source

下降时间:16 ns

正向跨导 - 最小值:135 S, 68 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:161 ns

系列:IPB034N06

工厂包装数量:1000

典型关闭延迟时间:63 ns

典型接通延迟时间:38 ns

零件号别名:IPB034N06N3GATMA1

供应商IPB034N06N3G
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深圳市河锋鑫科技有限公司IPB034N06N3GATMA1华强北现代之窗A 9D0755-23903154
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