FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：70A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：38nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：3900pF @ 15V

功率耗散（最大值）：79W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.2 毫欧 @ 30A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D²PAK（TO-263AB）

封装/外壳：PG-TO263-3

通道类型：N

最大连续漏极电流：70 A

最大漏源电压：30 V

最大漏源电阻值：0.0042 0hms

最大栅阈值电压：2.2V

最小栅阈值电压：1V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：D2PAK (TO-263)

晶体管配置：单

引脚数目：3

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：79 W

典型接通延迟时间：7.4 ns

典型关断延迟时间：28 ns

典型输入电容值@Vds：2900 pF @ 15 V

典型栅极电荷@Vgs：18 nC @ 4.5 V

晶体管材料：Si

系列：OptiMOS 3

宽度：9.45mm

最低工作温度：-55 °C

最高工作温度：+175 °C

长度：10.31mm

高度：4.572mm

尺寸：10.312 x 9.45 x 4.572mm

每片芯片元件数目：1

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs