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IPB042N03LG /MOSFET N-Ch 30V 70A D2PAK-2 OptiMOS
IPB042N03LG的规格信息
IPB042N03LG的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:70 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:4.2 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V

Qg-栅极电荷:18 nC

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:79 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:D2PAK-3

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:4.4 ns

正向跨导 - 最小值:87 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:5.6 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:1000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:28 ns

典型接通延迟时间:7.4 ns

零件号别名:IPB042N03LGATMA1 IPB042N03LGXT SP000304124

供应商IPB042N03LG
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