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HY5110W /连续漏极电流(Id)(25°C 时):316A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5mΩ @ 158A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500W 类型:N沟道
HY5110W的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)100V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)316A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻2.5mΩ @ 158A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)500W

类型N沟道

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HY5110WHUAYI(华羿微)连续漏极电流(Id)(25°C 时):316A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5mΩ @ 158A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500W 类型:N沟道1+:¥10.62
10+:¥7.67
30+:¥7.13
100+:¥6.59
500+:¥6.35
1000+:¥6.23