HY4504P
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):250A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3mΩ @ 125A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):288W(Tc) 类型:N沟道
HY4504P的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)250A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻3mΩ @ 125A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)288W(Tc)
类型N沟道
HY4504P
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HY4504P | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.] | ![HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.]的LOGO](/PdfSupLogo/1210HUAYI.GIF) | 794.85 Kbytes | 共11页 |  | 无 |
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 立创商城 | HY4504P | HUAYI(华羿微) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):250A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3mΩ @ 125A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):288W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥4.5 10+:¥3.25 30+:¥3.02 100+:¥2.79 500+:¥2.69 1000+:¥2.64
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