HY4903P
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):290A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:2mΩ @ 145A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):214W(Tc) 类型:N沟道
HY4903P的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)290A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻2mΩ @ 145A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)214W(Tc)
类型N沟道
HY4903P
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HY4903P | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.] | ![HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.]的LOGO](/PdfSupLogo/1210HUAYI.GIF) | 702.3 Kbytes | 共11页 |  | 无 |
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 立创商城 | HY4903P | HUAYI(华羿微) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):290A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:2mΩ @ 145A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):214W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥3.83 10+:¥2.85 30+:¥2.67 100+:¥2.49 500+:¥2.41 1000+:¥2.37
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