HY4504W
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):250A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 125A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):336W(Tc) 类型:N沟道
HY4504W的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)250A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.4mΩ @ 125A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)336W(Tc)
类型N沟道
HY4504W
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HY4504W | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.] | ![HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.]的LOGO](/PdfSupLogo/1210HUAYI.GIF) | 637.28 Kbytes | 共11页 |  | 无 |
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 立创商城 | HY4504W | HUAYI(华羿微) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):250A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 125A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):336W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥6.84 10+:¥4.94 30+:¥4.59 100+:¥4.24 500+:¥4.09 1000+:¥4.01
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