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HGTD3N60A4S / IGBT 晶体管
HGTD3N60A4S的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:2 V

栅极/发射极最大电压:+/- 20 V

在25 C的连续集电极电流:17 A

栅极—射极漏泄电流:+/- 250 nA

最大工作温度:+ 150 C

封装 / 箱体:TO-252-3

商标:Fairchild Semiconductor

集电极最大连续电流 Ic:17 A

最小工作温度:- 55 C

安装风格:SMD/SMT

Pd-功率耗散:70 W

系列:HGTD3N60

供应商HGTD3N60A4S
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HGTD3N60A4S600V, SMPS Series N-Channel IGBT FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO189.33 Kbytes共8页HGTD3N60A4S的PDF下载地址HGTG12N60A4D,HGT5A40N60A4D,FGH20N6S2,FGH20N6S2D,HGTD3N60A4S,FGH30N6S2,HGTG30N60A4,FGH30N6S2D,HGTG20N60A4D,HGTG30N60A4D
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