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HGT1S3N60B3DS / IGBT 模块

HGT1S3N60B3DS的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:IGBT 模块

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

在25 C的连续集电极电流:7 A

最大工作温度:+ 150 C

封装 / 箱体:TO-263AB

商标:Fairchild Semiconductor

栅极/发射极最大电压:+/- 20 V

最小工作温度:- 55 C

安装风格:SMD/SMT

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集好芯城	HGT1S3N60B3DS	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
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HGT1S3N60B3DS	7A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode	INTERSIL[Intersil Corporation]		154.31 Kbytes	共7页		HGTG20N60C3D,HGTG12N60C3D,HGTG20N60B3D,HGTG30N60B3D,HGTG20N60C3D,HGTG12N60C3D,HGTG12N60C3D,HGTG20N60B3D,HGTG7N60A4D,HGT1S3N60A4DS

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