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HGT1S3N60A4DS9A /Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
HGT1S3N60A4DS9A的规格信息
HGT1S3N60A4DS9A的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：50

类别：分立半导体产品

家庭：IGBT - 单路

系列：-

包装：管件

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：17A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：40A

不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：2.7V @ 15V，3A

功率 - 最大值：70W

开关能量：37µJ（开），25µJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：21nC

25°C 时 Td（开/关）值：6ns/73ns

测试条件：390V，3A，50 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：29ns

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-263AB

供应商HGT1S3N60A4DS9A
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HGT1S3N60A4DS9A600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO113.52 Kbytes共9页HGT1S3N60A4DS9A的PDF下载地址HGTG12N60A4D,HGT5A40N60A4D,HGTG20N60A4D,HGTG30N60A4D,HGTG12N60A4D,HGT1N30N60A4D,HGT1N40N60A4D,HGTG20N60A4D,HGTG7N60A4D,HGTG7N60A4D
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Digi-Key 得捷电子		HGT1S3N60A4DS9AFairchild SemiconductorIGBT - 单路 - 分立半导体产品1+:￥10.22
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Rochester Electronics		HGT1S3N60A4DS9AFairchild Semiconductor CorporationN/A500 : $1.64
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