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HGT1S20N36G3VLS /
HGT1S20N36G3VLS的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类IGBT 晶体管

配置Single

集电极—发射极最大电压 VCEO395 V

集电极—射极饱和电压1.3 V

栅极/发射极最大电压+/- 10 V

在25 C的连续集电极电流29 A

栅极—射极漏泄电流1000 uA

功率耗散50 W

最大工作温度+ 150 C

封装 / 箱体TO-263AB-3

封装Tube

集电极最大连续电流 Ic37.7 A

最小工作温度- 40 C

安装风格SMD/SMT

工厂包装数量50

供应商HGT1S20N36G3VLS
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陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城HGT1S20N36G3VLS深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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深圳市安富世纪电子有限公司HGT1S20N36G3VLS深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市坤融电子有限公司HGT1S20N36G3VLS航都大厦10I0755-23990975
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深圳市仓实科技有限公司HGT1S20N36G3VLS深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司HGT1S20N36G3VLS深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市芯泽盛世科技有限公司HGT1S20N36G3VLS龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市百视威讯电子科技有限公司HGT1S20N36G3VLS华强广场C座18J0755-27381274
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HGT1S20N36G3VLS20A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO256.95 Kbytes共7页HGT1S20N36G3VLS的PDF下载地址HGTP20N35G3VL,HGTP14N36G3VL,HGTP14N36G3VL,HGTP20N35G3VL,HGT1S14N37G3VLS,HGTP14N41G3VLS,HGTP14N40F3VL,HUF76419D3,HUF76423D3,HUF76429D3
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HGT1S20N36G3VLSFairchild SemiconductorIGBT, 37.7A, 355V, N-CHANNEL$1.87000
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